图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDS4470_Q 

产品描述

MOSFET SO-8

内部编号

3-FDS4470-Q

#1

数量:540
1+¥6.345
25+¥6.149
100+¥5.933
250+¥5.706
500+¥5.696
最小起订量:1
美国加州
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDS4470_Q产品详细规格

规格书 FDS4470_Q datasheet 规格书
Status Active
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single Quad Drain Triple Source
源极击穿电压 - 20 V, + 30 V
连续漏极电流 12.5 A
正向跨导 - 闵 45 S
RDS(ON) 9 mOhms
封装 Reel
功率耗散 2.5 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
典型关闭延迟时间 37 ns
上升时间 12 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS No
下降时间 29 ns

FDS4470_Q系列产品

FDS4470_Q相关搜索

订购FDS4470_Q.产品描述:MOSFET SO-8. 生产商: Fairchild Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149008
    010-82149488
    010-82149921
    010-57196138
    010-62155488
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-83975736
    0755-82511472
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67683728
    0512-67684200
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com